磨削碳化硅生产技术

为您的企业参与市场产品开发提供手宝贵资料。 反应烧结碳化硅对原料要求相对较低， 颗粒级配的碳化硅粒径在 1-20 微米范围内，无需特殊处理，C 粉、粘结剂等都是市场成熟供应的原料。等静压制有以下优点:能压制具有凹形空心、细长件以及其他复杂形状的零件摩擦损耗小成型压力低压力从各个方面传递压坯密度分布均匀， 压坯强度高模具制作方便寿命长成本较低，但等静压制也有缺点:压坯尺寸和形状不易精确控制生产率较低且投资大操作较复杂成型在高压下操作容器及其它高压部件需要特别防护。磨削碳化硅生产技术（4）热等静压烧结（HIP） 若制品形状复杂，又希望得到高密度，可用热等静压工艺。 固相烧结是美国科学家 Prochazka 于 1974 年首先发明的。其特点是无需外加压力使碳化硅实现致密化致密化有两中途径：固相烧结和液相烧结，因此对制品的形状没有限制，可以与各种成型方法配合，是为经济实用的的制备碳化硅的方法。

本方案通过以下制备工艺，制备出满足以上要求的碳化硅陶瓷密封环。浆料粘度测定使用 NDJ- 1 型旋转式粘度计 以确定合适的浆料固含量及有机添加剂的用量。（版）碳化硅生产技术工艺汇编 - 易趣品质网购#本套系列技术全文，全部在2张优质光盘内（发给您的光盘内容包括截止到今年为止的技术全文），全国各大城市均可货到付款。磨削碳化硅生产技术H 和 R 代表六方和斜方六面型。（3）热压烧结 SiC 陶瓷 为获得更致密、强度更高的制品，可采用热压工艺。热压烧结时间短、烧结温度相对较低；烧结助剂量少，可制得高密度产品；生产效率低，只能生产形状简单的制品。

所有技术资料均为电子图书（PDF格式，没有录像及视频），承载物是光盘，可以邮寄光盘也可以用互联网将数据发到客户指定的电子邮箱（网传免收邮费）。磨削碳化硅生产技术1.3 本方案的目的及意义 碳化硅陶瓷的耐化学腐蚀性好、强度高、硬度高，耐 磨 性 能 好 、 摩 擦 系 数 小 ， 且 高温力学性能强度、抗蠕变性等是已知陶瓷材料中的。 3 β－SiC 只有一种，属立方晶系，密度为 3.215g/cm 。本方案采用这种方法，此法是在炉内通入一定惰性气体，使制品在特定的气氛下烧结（根据不同材料可选用氧、氢、氮、氩或真空等不同气氛） ，为防止 SiC高温下氧化，我们选择氩气作为保护气，在一定温度范围℃内，1atm101325Pa下完成烧结。无压烧结 SIC的力学性能随添加剂、烧结温度、显微结构的不同而有差异。耐高温性能比较来看，当温度低于 900℃时，几乎所有 SiC 陶瓷强度均有所提高；当温度超过 1400℃时，反应烧结 SiC 陶瓷抗弯强度急剧下降。

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总之，SiC 陶瓷的性能因烧结方法不同而不同。磨削碳化硅生产技术二、工艺概述2.1 SiC 原料的制备2.1.1 原料选择 98的亚微米α-SiC 粉，其平均粒径为 0.6ｕm SiC 粉：385.6g酚醛树脂：24.03 g，HT 树脂:38.57 g 用 20ml 水溶解，油酸：4ml ，B4C:4.04g，聚胺脂球磨介：800.96g，乙醇：140ml，Darayn-c 1ml蒸馏水 240mlPHgt1020 ml。 （这是由于烧结体中含有一定量的游离 Si，当超过一定温度抗弯强度急剧下降所致）对于无压烧结和热等静压烧结的 SiC 陶瓷， 其耐高温性能主要受添加剂种类的影响。由于 SiC 表面常有一薄层 SiO2，在 1700℃左右，SiO2 融融分布在晶界处，使 SiC 颗粒之间接触机会减少，抑制了烧结。本套资料为电子文档资料，查看、复制、打印、保存方便，保密性好，我们向您提供更全面的科技资讯服务！如果找不到您需要的，我们将按照您的需要为您定制。像其它共价结合化合物，没有专门添加剂的 SiC 是不能烧结的，这种行为源于相对弱的体积扩散由于强的单向键合以及气相迁移机理（蒸发-在凝聚） 。

无压烧结实现实现碳化硅的致密化关键在原料颗粒应在亚微米级， 同时选择适当的烧结助剂。碳化硅的无压烧结可分成固相烧结和液相烧结两种。2.2 碳化硅陶瓷的成型2.2.1 钢模压制成型（干压法） 称取上一步喷雾造粒好的 SiC 粉体 40g，并将其放入预先润滑过的瓷环金属模内敲匀落实后，放在压机上受压所加压力为16t使之密实成型取出脱模。我们会尽全力为您提供准确、全面的信息!。在我国，清华大学新型陶瓷与精细工艺国家实验室在这方面的研究成果已位居世界前列。磨削碳化硅生产技术 而日本的铃木弘茂认为，SIC 难以烧结是由于 SiC 的表面扩散在低温下很快，导致粒子粗大化，不利于烧结，研究发现的 C和 B 的左右机理与 Prochazka 的大不相同，他认为，①B 和 C 共同对粒子成长起了有效的抑制作用；②各自单独使用时，不能导致充分的致密化，即仅抑制表面扩散是不够的，要通过两者的相互作用并使晶界生成相（B-C 化合物）才能致密化，这是因为 B 和 C 生成 B4C直接添加 B4C可以固溶在 SIC 中， 从而降低晶界能，促进烧结。

磨削碳化硅生产技术SIC 主要烧结方法及特点如下表 3-3-1、 不同烧结方法制得的 SIC制品的性质比较表 3-3-2. 碳化硅主要烧结方法及特点表 3-3-1烧结方法 烧结原理 条件 特点反应烧结（自 SICC 胚体在 烧结温度低；结合） 高温下进行蒸 收缩率为零； 汽或液相渗 1400—1600℃ 多孔质，强度 SI，部分硅与 低；残留游离 碳反应生成 硅 多 SIC 把 原 来 胚 （ 8-15 ）， 体中的 SIC 结 影响性能 合起来，达到 烧结的目的。这种设备其气体压力可达 300MPa，加热温度可达 2000℃。 反应烧结法制备温度低， 工艺过程和设备要求相对较低在烧结过程中体积收缩一般在 3以内，可以对制品尺寸进行比较精确控制，实现“近尺寸”烧结，适于制备相对复杂的产品。但反应烧结碳化硅往往含有 8-20的游离硅，使用温度不宜过高。 干燥过程中主要控制的工艺参数有浆料的固含量、 粘结剂的含量、 进出口温度、 压力及进料速率等。这种工艺是通过作为炉子外壁的高压容器， 内用惰性气体对样品进行各向同性的均匀加压。