碳化硅制作工艺及设备
Ferrotec全球 石英产品 Ferrotec全球 Ferrotec Global
设备相关产品制造过程中不可或缺的设备 气相沉积碳化硅产品（CVDSiC). ○ ○ ○ 在半导体制造中,它被用于除去晶圆在图案工艺处理过程中形成的薄膜。
碳化硅_百度百科
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围 高温制备SiC冶炼块的热工设备是专用的碳化硅电炉,其结构由炉底、
4米量级高精度SiC非球面反射镜制造系统 中国科学院院刊
图1 FSGJ系列非球面制造设备 反射镜表面镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了4 m量级高精度SiC非球面集成制造平台, 控制等多项关键技术及工艺,实现了大口径磁控溅射技术在SiC反射镜表面改性层及反射膜制备方面的工程化应用。
碳化硅 北京世纪金光半导体有限公司
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。 和人才培养,进一步提高产品技术及工艺水平,促进成本降低,推动产业化进程加速上行。
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展 国家科技部
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。 同时,设备的销售价格可控制在同类进口设备的2/3以下,有力支撑了国内SiC 在中国电科13所、55所、泰科天润等十余家公司进行的器件制造工艺验证和
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破科技人民网
2018年6月6日 中国电科二所事业部主任李斌说："这100台SiC单晶生长设备和粉料都是 纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。 真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料
SIC China 2017 第九届上海国际工业陶瓷展览会
队及资源给参展企业提供技术答疑、生产工艺及设备升级改造、检测认证、创业 磨陶瓷、碳化硅陶瓷、过虑陶瓷、高技术陶瓷、陶瓷纤维、陶瓷密封件、纳米陶瓷、蜂窝
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破半导体碳化硅材料_
2018年6月6日 中国电科二所事业部主任李斌说："这100台SiC单晶生长设备和粉料都是 纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。 真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破新华网
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子科技集团 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里"奋力"生长。 低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料中 光刻胶是整个光刻工艺的重要部分,也是国际上技术门槛的微电子
HOLLIASLEC G3 PLC 在SiC（碳化硅） 北京和利时电机技术有限公司
根据碳化硅晶体生长工艺要求,提供了一种降低成本、增加可靠性的运动控制方. 案。该晶体生长炉运动 根据SiC 的结晶工艺及其目前机械设备的特点,提出了更集.
碳化硅与氮化镓材料的同与不同 OFweek电子工程网
2018年8月16日 碳化硅与氮化镓均属于宽禁带半导体材料,它们具有禁带宽度大、电子漂移饱和 碳化硅器件的发展难题不是设计难题,而是实现芯片结构的制作工艺,如 工艺和质量并未达到世界,材料制造设备依赖于进口严重,碳化硅与氮
SiC器件定制 BASiC l 基本半导体碳化硅功率器件领军品牌
根据客户的设计要求,整合基本半导体标准工艺模块,提供完整的器件定制工艺 线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的 标准化的工艺模块,包括的碳化硅深沟槽刻蚀,栅氧工艺及各种金属结工艺；.
研究人员发现低成本生产SiC的工艺电子工程专辑
2017年9月28日 研究人员们将在日前于美国华府举行的2017年碳化硅及相关材料国际 PRESiCE工艺可用于降低SiC功率组件的生产成本（来源：North Carolina
4米大口径碳化硅非球面光学反射镜研制成功—中国经济网
2018年8月22日 我们完成了直径4.03米口径高精度碳化硅（SiC）非球面反射镜制造,对其核心制造设备以及制造工艺拥有自主知识产权。"中科院长春光机所副所长
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破半导体碳化硅材料_
2018年6月6日 中国电科二所事业部主任李斌说："这100台SiC单晶生长设备和粉料都是 纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。 真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料
时代电气6英寸碳化硅（SiC）产业化基地技术调试圆满完成_首页_手机端
2017年12月22日 12月10日,时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成,标志 未来,半导体SiC材料制作成的功率器件将支撑起当今节能技术的发展
打破技术垄断,比亚迪自主研发碳化硅功率MOS器件 分立器件 半导体
2017年10月19日 用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境下工作,具有极低的 比亚迪微电子团队通过不断的工艺及设计试验,目前在国内已自主研发出适合 . 能够提供SiC产品,后者的功率和设备器件业务已经独立为Wolfspeed。
中国研制成功世界口径单体碳化硅反射镜中新网 中国新闻网
2018年8月21日 中科院长春光机所研制成功的直径4.03米口径高精度碳化硅非球面反射镜。 碳化硅表面改性镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了具有自主
全球碳化硅晶片的主要生产商之一 北京天科合达半导体股份有限公司
天科合达公司参展第十二届欧洲碳化硅及相关材料会议（ECSCRM2018） 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会会员单位 中关村国家自主创新示范区 自行研发了碳化硅晶片加工的关键工艺技术：针对超硬的碳化硅,选取适当种类、
Ferrotec全球 陶瓷产品 Ferrotec全球 Ferrotec Global
设备相关产品制造过程中不可或缺的设备 在半导体制造工艺以及其他领域中被广泛使用并且是具有高强度,高纯度,高耐热性等 气相沉积碳化硅产品（CVDSiC).
我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展 国家科技部
2018年5月6日 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。 同时,设备的销售价格可控制在同类进口设备的2/3以下,有力支撑了国内SiC 在中国电科13所、55所、泰科天润等十余家公司进行的器件制造工艺验证和
SIC China 2017 第九届上海国际工业陶瓷展览会
队及资源给参展企业提供技术答疑、生产工艺及设备升级改造、检测认证、创业 磨陶瓷、碳化硅陶瓷、过虑陶瓷、高技术陶瓷、陶瓷纤维、陶瓷密封件、纳米陶瓷、蜂窝