无压烧结碳化硅喷雾干燥造粒料
烧结体的高温强度也因为其挥发而降低。Ｂ．Ｃ，ＳｉＣ－ＡＩ－Ｃ等系统，由于其烧结机理是固相烧结，烧结温度较高，烧结体的晶粒生长较大，达到５．１０ ｕ左右。反应烧结的工艺过程为：先将 α－SiC 粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。要达到足够的表面能的减少，ＳｉＣ的颗粒要足够的小。无压烧结碳化硅喷雾干燥造粒料裂纹扩展时不是沿晶发展，而穿晶断裂。此时仍需加入 B4C 或 B、C 等烧结助剂，粉料或生坯在模具内升温（℃）的同时加压（一般 25-40MPa） ，使材料加速流动、重排和致密化的烧结工艺，可得理论密度为 99.5的制品。
调节PEG或PEI的pH值，改变PEG或PEI的加入量，增加了颗粒之间的静电排斥能，提高了SiC颗粒分散性和流动性。随后，Dutta、Kofune、Larke 等在不用烧结助剂的情况下，采用亚微米级 SIC 原料， 通过 HIP 工艺制得致密的碳化硅陶瓷样品。这是由于添加剂含量的增加降低了整个复合体系在烧结时的粘度·从而促进了液相的 流动，加速了ＳｉＣ颗粒的重排及伴随物质迁移的溶解与再沉淀过程。 Ａ１２侥也是一种很好的烧结助荆。无压烧结碳化硅喷雾干燥造粒料无压烧结碳化硅密封件批发 - 中国制造网其它密封材料和密封件#常压烧结碳化硅是目前应用范围广的陶瓷材料，Astek拥有常压烧结碳化硅的全套生产技术，有从碳化硅喷雾造粒粉到精研后的密封件成品等各式产品。机械密封用高性能碳化硅陶瓷的无压烧结研究进展 - 会议论文 - 道客巴巴#机械密封用高性能碳化硅陶瓷 的无压烧结研究进展 谭寿洪＋ （中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０００５０）摘要：（本文介绍机械密封行业用的几种高性能碳化硅陶瓷的无压烧缩的研究进展。
Prochazka 认为，扩散烧结的难易与 γG γG晶界能和 γS 表面能的比例大小有关， /γslt 3 时， 能促进烧结，SiC 的晶界能和比表面能的比值 γG /γs 很高gt 3 时， 很难烧结。无压烧结碳化硅喷雾干燥造粒料 此组成的烧结过程可能发生以下反应： ＳｉＣ＋Ａｈ０３－－－｝ＳｉＯ＋Ａ１２０＋ＣＯ！ ＳｉＣ＋Ａ１２０３－－－Ｉ．２Ｓｉ＋Ａ１２０＋２ＣＯ ｆ ＳｉＣ＋２Ｓｉ０２－｝３ＳｉＯ＋ＣＯ ｆ Ｓｉ＋Ｃ—ＳｉＣ 当添加剂的量增加和烧结温度提高，会发生质量流失现象，挥发主要组成是Ａ１２０；，适当提高添加 剂中Ａ１２０３的质量分数是必要的。2.3.3 SiC 的烧结方法 碳化硅陶瓷， 常用的方法有无压烧结法、 反应烧结法、热压烧结法等。这些研究为工业化过程降低能耗具 有积极意义。由于ＹＡＧ与ＳｉＣ的润湿性较弱。从烧结温度来看·液相烧结的碳化硅陶瓷烧结温度要比固相烧结的低１００到２００度，在工业化生产过程中，对降低能耗有非常重要的积极意义。
β－SiC 在 2100℃以下是稳定的，高于 2100℃时，β－SiC 开始转变为 α－Si，转变速率很慢，到 2400℃转变速率迅速，这种转变在一般情况下是不可逆的，在 2000℃以下合成的 SIC 主要是 β－SiC，在 2200℃以上合成的主要是 α－Si，而且以 6H 为主。但由于烧结温度过高的原因，喷雾造粒在改善材料性能方面的效果并不十分显著。其加入量与ＳｉＣ粉体表面的氧化层的量有关， 以除去表面结合氧为准，在烧结过程的出现的反应如下： Ｓｉ０２＋Ｃ－＞ＳｉＯ＋ＣＯ ｆ ＳｉＯ＋Ｃ－－｝ＳｉＣ＋ＣＯ ｆ 从反应式可以看出。现在的问题是造粒了，自己造粒的话，有些什么工艺？我准备按质量比加1%的粘接剂，现在是不知道水应该加多少？是用喷壶喷还是直接加入一定量的水到粉料里，直接在研钵里混。无压烧结碳化硅喷雾干燥造粒料如果在颗粒表面间形成液相。 采用真空无压烧结进行碳化硅复合粉体的烧结致密化。
由于烧结机理的不同，烧结温度不同，所形成的显微结构完全不同，从而他们的力学性能也不同。采用ＹＡＧ为添加剂组份较好。但由于烧结添如添舍氧化铝、氧化钇等化合物，它们能否适用于石化、重化工的机械密封申应用，还需要做一定的研究与比较。无压烧结碳化硅喷雾干燥造粒料强度达到４００ＭＰａ．４５０ＭＰａ，韧性在３．５－４．０ＭＰａ·ｍ”左右。2.3.2 添加剂的作用1）硼（B）和碳C的作用 通过晶界或体积扩散致密化的一个前提是用六方 α 型或立方 β 型的亚微米粉末。耐高温性能比较来看，当温度低于 900℃时，几乎所有 SiC 陶瓷强度均有所提高；当温度超过 1400℃时，反应烧结 SiC 陶瓷抗弯强度急剧下降。
无压烧结 SIC的力学性能随添加剂、烧结温度、显微结构的不同而有差异。另外，AL 和 AL 的化合物 AL2O3 、 ALN 均 可 与SIC 形成固溶体而促进烧结。本实验选用无压烧结的方法，该法烧结的 SiC 陶瓷产品相对密度可达 96以上，而且烧结前后制品不发生过量的塑性变形，制备工艺可控性高。无压烧结碳化硅喷雾干燥造粒料 然而，碳化硅是一种强共价键化合物，它的离子性占１２％左右，它在烧结时的扩散速率相当低·有 人研究Ｃ，Ｓｉ在ＳｉＣ中２１００＂Ｃ时的自扩散系数仅１．５×１０“到２．５ｘ１０。我公司目前生产的上述微粉，在喷雾制浆过程中固相含量高达60%以上，仍能进行喷雾造粒制粒，因而产量大大提高，即节能又节时，是无压烧结碳化硅制造行业优质原料。９０年代以后采用Ｂ，Ｃ添加剂的ＳｉＣ产品己广泛应用到各工业领域。
图５，６为材料显微结构的ＴＥＭ照片，烧结完成后，冷凝 形成ＹＡＧ全部集聚在ＳｉＣ的三凫区，雨ＳｉＣ－ＳｉＣ界霭不存在ＹＡＧ或Ａｔ２０３相。 无压烧结、 热压烧结和反应烧结 SiC 陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力，但反应烧结 SiC 陶瓷对 HF 等超强酸的抗蚀性较差。烧结温度大为降低，ＳｉＣ的晶粒在烧结过程生长不快，材料晶粒尺寸在ｌ～２ ｐ，要比固相烧结的ＳｉＣ晶粒要小几倍，反映此材料的强度几乎成倍的增加。界面之间的结合强度较高。无压烧结碳化硅喷雾干燥造粒料它的良好电阻与导热性，将是大规模集成电容基片的一种新材 料。所获得的材料几乎完全致密，材料的强度与韧性几乎成倍提高。