国内生产碳化硅的企业晶体

国内生产碳化硅的企业晶体本篇报告是在组织了公司对北京的碳化硅分公司联合调研的基础上，为了不冲淡对碳化硅行业及公司对碳化硅晶体研究和生产的分析，只对碳化硅进行分析，其他业务在以前的行业分析中都已提及。 上游产业是技术资本密集型产业，投资强度大，工艺控制技术难度大。而公司目前的股价只有6.55 元，而且考虑到碳化硅晶体的巨大技术壁垒和巨大的市场前景，而公司是国内目前碳化硅晶体生产的企业，以及公司生产成本与全球的碳化硅晶体生产企业Cree 公司相比具有非常大的竞争优势。 再者，作为生长困难的人工晶体之一，公司完全靠自己摸索出来的碳化硅单晶生长的关键技术，已达到了国际先进水平。 正是由于SiC 硬度高，耐高温，熔化及锻制的过程相当费劲，高品质结晶不易培育。 市场前景: 碳化硅单晶系第三代高温宽带隙半导体材料。

国内生产碳化硅的企业晶体实现规模化生产，进而成为全球主要的供应商。记者获悉，公司的生产设备完全靠自主研发，这决定了设备的造价很低。在产业链中，衬底是半导体照明产业技术发展的基石，竞争的激烈程度较小;而外延片与芯片制造是含金量、竞争激烈的环节。其中Cree 公司占了全球85%的产量，由于一家独大和产品供不应求，Cree 公司控制了国际碳化硅晶片的市场价格和质量标准。该项目将建设2台300MW国产燃煤热电机组,配套建设热网工程,项目由公司拟设的全资子公司新疆天富天河热电有限公司负责建设与运营,预计动态总投资25亿元,建设期2年。 碳化硅粉磨料，又叫金刚砂。

蓝光是有前景的LED 光LED 分成可见光LED(波长 纳米)及不可见光LED( 纳米)。不同衬底下的外延情况如表所示。国内生产碳化硅的企业晶体在NASDAQ 上市的CreeInc 的碳化硅晶片产量为20 万片，占全球出货量的85%，后面的3 家公司年产5 千到1 万片碳化硅晶片。 目前碳化硅半导体工业发展的主要瓶颈:原料价格昂贵，2004 年一块2 英寸碳化硅晶片的价格为500 美元以上。600509天富热电国内碳化硅晶体企业_博爱_新浪博客#公司在本土封装测试代工企业中排名，且在全部封装测试类公司排名中逐年提升，市场占有率逐年升高。尽管公司传统业务存在下滑的风险，但公司碳化硅业务从2007年开始小批量销售，2008年有一定规模的销售，2009年开始大规模销售，业绩增长速度将明显加快。

目前碳化硅粗料已能大量供应,不能算高新技术产品,而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用时间短未能形成规模经济，碳化硅晶体是目前碳化硅应用的技术产品，是继代半导体材料和代半导体材料砷化镓(GaAs)后发展起来的第三代半导体材料。 (3)高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。国内生产碳化硅的企业晶体 近年来，美国II-VII 公司和DowConing 公司分别通过企业兼并进入碳化硅晶片生产领域。 碳化硅晶片用途碳化硅晶片主要有三个用途:个应用是作为衬底应用于LED 固体照明产业;个应用于半导体器件;第三个是应用于作珠宝。 同时公司将利用晶片切割过程中产生的不良品，进行废片加工，然后出售供制造人造钻石用。该公司同时还自己生产蓝光和白光的GaN-LED 芯片，生产规模估计约3.5 亿个。

一是采用了进的抛光工艺，填补了国内没有高精度超硬度晶体加工工艺的空白；二是采用了特殊的后热处理技术，可以使晶片面型更好，通俗地说是表面看上去更平，并且还可以降低晶片电阻率以及提高晶片电阻的均匀性，这些都是国内的。公司同东京电力签订的合同期限为6年。国内生产碳化硅的企业晶体 要想在第三代半导体产业的盛宴中占据一席之地，必须在以SiC 晶片为基础的上游产业中取得突破，才能屹立于不败之地。 大面积、高质量SiC 单晶生长的明显进展使近10 年来SiC 的各种器件不断开发成功。 碳化硅相对于蓝宝石用作衬底更优良外延生长的基本原理是，在一块加热适当温度的衬底晶片(主要有蓝宝石和SiC 两种)上，气态物质In、Ga、Al 有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。 目前全球主要碳化硅晶片制造商有:美国CreeInc，美国道康宁公司，美国II-V 公司，德国SiCrystalAG–西门子。

随着GaN-LED 市场规模的急剧扩大，SiC 晶片的需求也呈增长势头。 目前，全球90%-95%的碳化硅晶片是用于光电半导体。 碳化硅单晶系第三代高温宽带隙半导体材料包括黑碳化硅和绿碳化硅，其中:黑碳化硅是以石英砂,石油焦和优质硅石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。国内生产碳化硅的企业晶体可别小看这片圆圆的“小东西”，它是第三代半导体的核心材料，一片可以做成40万个LED芯片，身价非常昂贵，可以卖到200美金，比同等重量的黄金要贵上10倍！据悉，目前全球生产这种碳化硅晶片的企业不超过10家，天科合达是国内一家碳化硅晶片生产企业，打破了国外垄断，填补了国内空白。预期这些研究机构要掌握碳化硅晶体生长技术和达到一定的产品质量和产率还要三年以碳化硅晶片的市场情况2005 年全球碳化硅晶片的总产量约为25-30 万片，晶片的产值约为2.5 亿美元，其中约80%为2 英寸的碳化硅晶片，其余的为3英寸晶片。加之工作电压低、安全可靠和无污染等，是当前国内外研发的热点。

是半导体材料领域有前景的材料之一，可应用于航空、航天探测，核能探测及开发，卫星、汽车发动机等高温及抗辐射领域。 使用SiC 制作高能器件时，能够制造出比硅效率更高、耐用性更强的高能实际上，目前很多公司都在积极尝试着利用SiC 制造高能器件。 碳化硅单晶在切割的过程中将会产生残片、废片，高的良品率将会减少碳化硅晶片的生产成本。公司的碳化硅晶片的产能和销售情况预测如图所示。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。国内生产碳化硅的企业晶体目前制约SiC 晶片发展的关键点在于晶体生长和晶片的切割和抛光，后者决定了产品的良品率和成本。