硅化镁粉碎方法

但三氯化硼和三氯化磷的沸点与三氯氢硅相近较难分离故需采用高效精馏以除去这两种杂质。这样所得的硅烷比较纯，但在实际生产中尚有未反应的镁存在，所以会发生如下的副反应： Mg+ 2NH4Cl=MgCl2+2NH3+H2 所以生成的硅烷气体中往往混有氢气。但硅烷中还有氨、氢及微量磷化氢（PH3）、硫化氢（H2S）、砷化氢（AsH3）、锑化氢（SbH3）、甲烷（CH4）、水等杂质。硅化镁粉碎方法本发明的特征是：用水镁石代替合成法得到的氢氧化镁，在价格上表现出突出的竞争优势，前者成本只是后者的20％左右。但硅烷中还有氨、氢及微量磷化氢PH3、硫化氢H2S、砷化氢AsH3、锑化氢SbH3、甲烷CH4、水等杂质。在硅烷合成过程中已有效地去除金属杂质。

工业上是用硅石SiO2和焦炭以一定比例混合在电炉中加热℃而制得纯度为9599的粗硅其反应如下SiO22CSi2CO 粗硅中一般含有铁、铝、碳、硼、磷、铜等杂质这些杂质多以硅化构成硅酸盐的形式存在为了进一步提高工业粗硅的纯度可采用酸浸洗法使杂质大部分溶解有少数的碳化硅不溶。 高纯多晶硅的制备方法很多，据布完全统计有十几种，但所有的方法都是从工业硅（或称硅铁，因为含铁较多）开始，首先制取既易提纯又易分解（即还原）的含硅的中间化合物如SiCl4、SiHCl3、SiH4等，再使这些中间化合物提纯、分解或还原成高纯度的多晶硅，其工艺流程大致如图1： 目前我国制备高纯硅多晶硅主要采用三氯氢硅氢还原法、硅烷热解法和四氯化硅氢还原法。用此法生产的粗硅经酸处理后，其纯度可达到99.9%。硅化镁粉碎方法 Mg2Si4NH4ClSiH4↑2MgCl24NH3↑ 其中液氨不仅是介质而且它还提供一个低温的环境。 本公司经营技术、资料、配方、工艺，质量保证，欢迎咨询洽谈。 （3） 硅烷的热分解 将硅烷气体导入硅烷分解炉，在800~900℃的发热硅芯上，硅烷分解并沉积出高纯多晶硅，其反应式如下：SiH4=Si+ 2H2 硅烷热分解法有如下优点： ① 分解过程不加还原剂，因而不存在还原剂的玷污。

在生产中，一般将氯化温度控制在450~500℃，这样一方面可提高生产率，另一方面可保证质量，因为温度低时不仅反应速度慢，而且有副产品Si2Cl6、Si3Cl8等生成，影响产品纯度，但若温度过高，硅铁中其它难挥发杂质氯化物也会随SiCl4一起挥发出来，影响SiCl4纯度。订购电话： 咨询电话：，,手机：在线咨询QQ：,订购请记录好此资料编号：CY本套共收费：230元请与QQ：8 5 3 1 36199,7 联系办理。其中绝大多数氯化物的沸点与三氯氢硅相差较大因此通过精馏的方法可以将这些杂质除去。硅化镁粉碎方法工业上常用不锈钢（或石英）制的氯化炉，将硅铁装入氯化炉，从氯化炉底部通入氯气，加热200~300℃时，开始反应生成SiCl4，其化学反应为： Si + 2Cl2 = SiCl4 生成的SiCl4以气体状态从炉体上部转冷凝器，冷却为液态后，再流入储料槽。该制备方法以当量配比的镁粉与硅粉为原料，在真空中或气体保护下，通过顶部连续给进原料，立式圆筒形反应器内连续搅动，使反应均匀充分，避免反应过热和镁蒸汽外逸。所有技术资料均为电子图书（PDF格式，没有录像及视频），承载物是光盘，可以邮寄光盘也可以用互联网将数据发到客户指定的电子邮箱（网传免收邮费）。

因为硅烷的生成温度低大部分金属杂货在这样低的温度下不易形成挥发性的氢化物而即便能生成也因其沸点较高难以随硅烷挥发出来所以硅烷在生成过程中已经经过一次冷化有效地除去了那些不生成挥发性氢化物的杂质。三氯氢硅精馏是利用三氯氢硅与杂质氯化物的沸点不同而分离提纯的。化工、材料、医药类的资料包括原材料的配方配比，制造工艺，质量标准和工艺流程等，机械、设备、装置类的资料包括详细的设计方案，设计原理，附带有设计的结构原理图纸和图解说明，所有资料均包括技术发明人的姓名、联系地址、权利要求等信息，是企业和个人了解市场，开发技术、生产产品的参考资料。因为硅烷的生成温度低，大部分金属杂货在这样低的温度下不易形成挥发性的氢化物，而即便能生成，也因其沸点较高难以随硅烷挥发出来，所以硅烷在生成过程中已经经过一次冷化，有效地除去了那些不生成挥发性氢化物的杂质。订购电话： 在线订购QQ: 手机或订购：/ （周一周六18：00以后，周日及法定节假日全天） 更多资料 -重庆家教#高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO2）制得工业硅（粗硅），再制成高纯的多晶硅，拉制成半导体材料硅单晶。

硅化镁粉碎方法 3硅烷的热分解 将硅烷气体导入硅烷分解炉在800900℃的发热硅芯上硅烷分解并沉积出高纯多晶硅其反应式如下SiH4Si2H2↑ 硅烷热分解法有如下优点 ①分解过程不加还原剂因而不存在还原剂的玷污。由于SiCl4被氢还原的速率较SiHCl3氢还原法低，因此目前使用SiCl4氢还原法制高纯硅的较少 --您正在大智慧家教网()上浏览信息!。而四氯化硅或三氯氢硅氢气还原法都会产生强腐蚀性的氯化氢气体。 Mg2Si+4NH4Cl=SiH4 + 2MgCl2+4NH3 其中液氨不仅是介质，而且它还提供一个低温的环境。技术-技术 制备方法 纳米氢氧化镁 轻质碳酸钙 硅系阻燃剂 碳化硅晶须 生产方法 超导材料 二硼化镁 制造方法#文章摘要: 一种超细轻质碳酸钙的制备方法，硅系阻燃剂及其生产方法，一种二硼化镁超导材料及其制备方法，高纯纳米氢氧化镁的制备方法，高纯度磷酸及其制造方法，制备碳化硅晶须的方法，…… (共1页)。反应完毕后，连续产物经过刮刀与孔板的粉碎作用，得到粒度细小、组成均匀、当量匹配的硅化镁粉末。

本方法对水镁石进行表面改性来改善水镁石表面的润湿性，分散性和亲水性，可增强水镁石阻*填料与基体树脂的相互作用，广泛用于聚丙烯，聚乙烯，聚氯乙烯，高抗冲聚苯乙烯和ABS等领域。此外由于SiH4具有易提纯的特点因此硅烷热分解法是制备高纯硅的很有发展潜力的方法。订购本套资料光盘请记录此编号：CC本套资料包括技术全文资料125份，全部包括在一张光盘内。 1. 硅烷热解法 在高纯硅的制备方法中，有发展前途的是硅烷热分解法。 2.四氯化硅氢还原法 1工业粗硅氯化制备四氯化硅 目前SiCl4的工业制备方法一般是采用直接氯化法将工业粗硅在加热条件下直接与氯反应制得SiCl4。硅化镁粉碎方法如果你在此没有找到你需要的技术资料，也请告诉我们，我们将根据你的需求为你量身订制。

生产中所用的氯化铵一定要干燥否则硅化镁与水作用生成的产物不是硅烷而是氢气其反应式如下 2Mg2Si8 NH4ClH2O4 MgCl2Si2H2O38 NH3↑6 H2↑ 由于硅烷在空气中易燃浓度高时容易发生爆炸因此整个系统必须与氧隔绝严禁与外界空气接触。硅化镁粉碎方法 （2） 精馏提纯四氯化硅 四氯化硅中通常含有铁、铝、钛、硼、磷等杂质，但这些杂质可以通过精馏的方法除去。所述的装置主要采用立式圆筒形反应器代替水平式反应器，用顶部减速机带动螺旋片搅拌器搅动原料；该反应器外壁上部采用加热器加热，下部采用冷水套冷却，底部采用刮刀和孔板粉碎反应生成的硅化镁，反应器上侧与加料装置相连，下部与收料装置相连。本发明既可实现硅化镁的连续生产，还可提高原料转化率，减少过程中镁的消耗，同时降低能耗。工业上常用不锈钢或石英制的氯化炉将硅铁装入氯化炉从氯化炉底部通入氯气加热200300℃时开始反应生成SiCl4其化学反应为 Si2Cl2SiCl4 生成的SiCl4以气体状态从炉体上部转冷凝器冷却为液态后再流入储料槽。 生产中所用的氯化铵一定要干燥，否则硅化镁与水作用生成的产物不是硅烷，而是氢气，其反应式如下： 2Mg2Si+8 NH4Cl+H2O=4 MgCl2+Si2H2O3+8 NH3 +6 H2 由于硅烷在空气中易燃，浓度高时容易发生爆炸，因此，整个系统必须与氧隔绝，严禁与外界空气接触。